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化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是指圓片表面材料與研磨液發(fā)生化學(xué)反應(yīng)時(shí)，在研磨頭下壓力的作用下進(jìn)行拋光，使圓片表面平坦化的過程。
圓片表面材料包括多晶硅、二氧化硅、金屬鎢、金屬銅等，與之相對應(yīng)的是不同種類的研磨液。
化學(xué)機(jī)械拋光能夠?qū)⒄麄�(gè)圓片高低起伏的表面研磨成一致的厚度，是一種圓片全局性的平坦化工藝。
CMP 工藝在芯片制造中的應(yīng)用包括淺溝槽隔離平坦化（STI CMP）、多晶硅平坦化（Poly CMP）、層間介質(zhì)平坦化（ILD CMP）、金屬間介質(zhì)平坦化（IMDCMP）、銅互連平坦化（Cu CMP）。
CMP 設(shè)備主要分為兩部分，即拋光部分和清洗部分。拋光部分由 4 部分組成，即 3 個(gè)拋光轉(zhuǎn)盤和一個(gè)圓片裝卸載模塊。清洗部分負(fù)責(zé)圓片的清洗和甩干，實(shí)現(xiàn)圓片的“干進(jìn)干出”。
CMP 設(shè)備主要生產(chǎn)商有美國 AMAT 和日本 Ebara，其中 AMAT 約占 CMP 設(shè)備市場 60%的份額，Ebara 約占 20%的份額。國內(nèi) CMP 設(shè)備的主要研發(fā)單位有天津華海清科和中電科 45 所，其中華海清科的拋光機(jī)已在中芯國際生產(chǎn)線上試用。
電鍍是指在集成電路制造過程中，用于加工芯片之間互連金屬線所采用的電化學(xué)金屬沉積。隨著集成電路制造工藝的不斷發(fā)展，目前電鍍已經(jīng)不限于銅線的沉積，還涉及錫、錫銀合金、鎳等金屬的沉+積，但金屬銅的沉積仍是其中最主要的部分。
電鍍設(shè)備主要的生產(chǎn)商包括 Lam Research、AMAT 以及 TEL。其中，Lam Research 在前道的鑲嵌式技術(shù)電鍍銅設(shè)備中占據(jù) 90%以上的市場份額，日本的東京電子在先進(jìn)封裝領(lǐng)域約占據(jù) 50%市場。盛美半導(dǎo)體設(shè)備已經(jīng)掌握了電鍍機(jī)的核心專利技術(shù)，包括多圓環(huán)陽極技術(shù)和兆聲波輔助電鍍技術(shù)等， 自主開發(fā)了Utra ECP 系列電鍍機(jī)。
資訊來源：汕頭羅克自動(dòng)化
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一、控制煤泥烘干機(jī)設(shè)備系統(tǒng)的含氧量
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