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0150-30267應(yīng)用材料線渠道商介紹應(yīng)用材料推出新存儲(chǔ)器量產(chǎn)技術(shù)：

美商應(yīng)材公司（Applied Materials）因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和云端運(yùn)算所需的新存儲(chǔ)器技術(shù)，日前宣布推出創(chuàng)新、用于大量制造的處理計(jì)劃，有利于加快產(chǎn)業(yè)采用新存儲(chǔ)器技術(shù)的速度。

現(xiàn)今的大容量存儲(chǔ)器技術(shù)包括DRAM、SRAM和快閃存儲(chǔ)器，這些技術(shù)是在數(shù)十年前創(chuàng)造，已廣為數(shù)字設(shè)備與系統(tǒng)所采用。新型存儲(chǔ)器中，包括MRAM、ReRAM與PCRAM等將提供共同的優(yōu)點(diǎn)。但是，這些存儲(chǔ)器所采用的新資料，為大量消費(fèi)帶來(lái)了相當(dāng)水平的應(yīng)戰(zhàn)。

因而，應(yīng)材公司日前率先推出新的制造系統(tǒng)，可以以原子級(jí)的精準(zhǔn)度，停止新式資料的堆積，而這些新資料將會(huì)是消費(fèi)前述新型存儲(chǔ)器的關(guān)鍵。這是應(yīng)材公司推出了該公司迄今為止所開(kāi)發(fā)過(guò)**進(jìn)的系統(tǒng)，讓這些新型存儲(chǔ)器可以以工業(yè)級(jí)的范圍穩(wěn)定消費(fèi)。

應(yīng)材公司表示，當(dāng)前的電腦產(chǎn)業(yè)正在建構(gòu)物聯(lián)網(wǎng)架構(gòu)，其中，將會(huì)有數(shù)百億個(gè)安裝內(nèi)建傳感器、運(yùn)算與通訊功用，用來(lái)監(jiān)控環(huán)境、做決策和傳送重要資訊到云端材料中心。在貯存物聯(lián)網(wǎng)安裝的軟件與AI演算法方面，新世代的MRAM（磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是貯存用存儲(chǔ)器的**之一。

MRAM采用硬盤(pán)機(jī)中常見(jiàn)的精致磁性資料，藉由MRAM自身快速且非揮發(fā)性的性能，就算在失去電力的狀況下，也能保管軟件和材料。而由于MRAM速度快，加上元件容忍度高，MRAM最終可能做為第3級(jí)快取存儲(chǔ)器中SRAM的替代產(chǎn)品。MRAM能夠整合于物聯(lián)網(wǎng)芯片設(shè)計(jì)的后端互連層中，進(jìn)而達(dá)成更小的晶粒尺寸，并降低本錢。

而關(guān)于MRAM的開(kāi)展，應(yīng)材公司的新Endura Clover MRAM物**相堆積（PVD）平臺(tái)，是由9個(gè)共同的晶圓處置反響室組成，全都是在純潔、高真空的狀況下完成整合。這是業(yè)界**個(gè)大量消費(fèi)用的300 mm MRAM系統(tǒng)，每個(gè)反響室可個(gè)別堆積最多5種不同的資料。

應(yīng)材公司也強(qiáng)調(diào)，由于MRAM存儲(chǔ)器需經(jīng)過(guò)至少30種不同資料層的精細(xì)堆積制程。其中，某些資料層可能比人類的頭發(fā)還細(xì)微50萬(wàn)倍。因而，在制程中即便是厚薄度只要原子直徑一丁點(diǎn)的差別，就會(huì)對(duì)安裝的效能與牢靠性形成極大的影響。而Clover MRAM PVD平臺(tái)包括內(nèi)建量測(cè)功用，能夠用次埃級(jí)（sub-angstrom）的靈活度，在MRAM層產(chǎn)生時(shí)丈量和監(jiān)控其厚度，以確保原子層級(jí)的平均性，同時(shí)免除了暴露于外部環(huán)境的風(fēng)險(xiǎn)。

另外，隨著材料量產(chǎn)生呈現(xiàn)遽增的狀況，云端材料中心也需求針對(duì)連結(jié)效勞器和貯存系統(tǒng)的材料途徑，達(dá)成這些途徑在速度與耗電量方面的效能提升。對(duì)此，由于新一代的ReRAM（電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）與PCRAM（相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）具備快速、非揮發(fā)性、低功率的高密度存儲(chǔ)器的特性。能夠成為“貯存級(jí)存儲(chǔ)器”，以填補(bǔ)效勞器DRAM與貯存存儲(chǔ)器之間，不時(shí)擴(kuò)展的價(jià)錢與性能落差。

而關(guān)于將來(lái)ReRAM及PCRAM的需求，應(yīng)材公司采用新資料制程。應(yīng)材公司解釋，其資料的作用相似于保險(xiǎn)絲，可在數(shù)十億個(gè)貯存單元內(nèi)選擇性地構(gòu)成燈絲，以表示材料。對(duì)照之下，PCRAM則式采用DVD光碟片中可找到的相變資料，并藉由將資料的狀態(tài)從非晶態(tài)變成晶態(tài)的做法，停止位元的編程，相似于3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的架構(gòu)。

而ReRAM和PCRAM是以3D構(gòu)造排列，存儲(chǔ)器制造商能夠在每一代的產(chǎn)品中參加更多層，以穩(wěn)健地降低貯存本錢。ReRAM與PCRAM也提供編程與電阻率中間階段的可能性，讓每個(gè)貯存單元能夠貯存多個(gè)位元的材料。相較于DRAM，ReRAM及PCRAM皆承諾將來(lái)可大幅降低本錢，而且讀取效能也比3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器和硬碟機(jī)快上許多。ReRAM能將運(yùn)算元件整合于存儲(chǔ)器陣列中，以輔佐克制AI運(yùn)算相關(guān)的材料挪動(dòng)瓶頸狀況下，也是將來(lái)存儲(chǔ)器內(nèi)運(yùn)算架構(gòu)的首要候選技術(shù)。

對(duì)此，應(yīng)用資料的Endura Impulse物**相堆積（PVD）平臺(tái)適用于PCRAM與ReRAM，包含最多9個(gè)在真空下停止整合的處置反響室及內(nèi)建量測(cè)功用，可以以精細(xì)的方式停止堆積，以及控制這些新型存儲(chǔ)器中所運(yùn)用的多成分資料。



資訊來(lái)源：汕頭羅克自動(dòng)化