EBICAmplifier用于對(duì)半導(dǎo)體樣品，器件，微納結(jié)構(gòu)可進(jìn)行EBIC,EBAC,RCI,EBIV和EBIRCH分析。通過MM3A/MM4將探針精確定位到探測位置，信號(hào)通過弱電流測量屏蔽套件（LCMK）傳輸?shù)絊EM/FIB視頻輸入端，并通過SEM/FIB成像。
配置：
EBICAmplifier+MM3A-EMs+LCMK
EBICAmplifier+ProberShuttle
EBICAmplifier應(yīng)用領(lǐng)域：
無損失效分析
IC開路探測
PN結(jié)觀測
電阻變化定位
技術(shù)參數(shù)：
最小電流測量：15Fa
增益：105to1012V/A
帶寬：400Khz
AC/DC兩種放大模式
輸入電流補(bǔ)償
圖像反轉(zhuǎn)模式
前道工序（front-end-of-line：FEOL）中微縮晶體管，以及在中間工序（Middle-of-line：MOL）和后道工序（back-end-of-line：BEOL）中改進(jìn)觸點(diǎn)和連線則變得越來越困難。
FEOL涵蓋了芯片有源部分的加工，即位于芯片底部的晶體管。晶體管作為電氣開關(guān)，使用三個(gè)電極進(jìn)行操作：柵極、源極和漏極。源極和漏極之間的導(dǎo)電通道中的電流可以被“開"和“關(guān)"，這一操作由柵極電壓控制。
BEOL是加工的**階段，指的是位于芯片頂部的互連�；ミB是復(fù)雜的布線方案，它分配時(shí)鐘和其他信號(hào)，提供電源和地，并將電信號(hào)從一個(gè)晶體管傳輸?shù)搅硪粋�(gè)晶體管。BEOL由不同的金屬層、局部(Mx)、中間線、半全局線和全局線組成�？倢訑�(shù)可以多達(dá)15層，而Mx層的典型數(shù)量在3~6層之間。這些層中的每層都包含（單向）金屬線（組織在規(guī)則的軌道中）和介電材料。它們通過填充有金屬的通孔結(jié)構(gòu)垂直互連。
FEOL和BEOL由MOL聯(lián)系在一起。MOL通常由微小的金屬結(jié)構(gòu)組成，作為晶體管的源極、漏極和柵極的觸點(diǎn)。這些結(jié)構(gòu)連接到BEOL的局部互連層。雖然單元尺寸在微縮，但要連接到的引腳數(shù)量大致不變，意味著接觸它們的難度更大。
1)EBIC:
http://www.aqueous-channel.com/ParentList-1591266.html
https://www.chem17.com/st368866/list_1591266.html
資訊來源：網(wǎng)站
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